検索結果: 6,687 件の求人
500万円 ～ 800万円
■フィールドアプリケーションエンジニア
パワーデバ イスの拡販と技術サポートをご担当いただきます。
パワーデバイスをベースとした回路シミュレーションを活用し技術的な提案や顧客の技術トラブル解決を行うことで、顧客設計・評価をスムーズに進め、デザインインとデザインウィンの達成を目指していただきます。
部門ではアプリケーションを軸としたソリューション拡販と技術サポートおよび新商品企画活動を通じ、海外での売り上げ増加を目指しております。
入社後はパワーデバイス（SiC
MOSFET...
500万円 ～ 850万円
■パワー半導体の組み立て工程開発、改善業務を担当していただきます。※海外工場の生産量UPに向けた取り組みを現地スタッフと連携して進めます。
【同社の製品】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。
【同社の特徴】
開発～製造までを一貫してグループ...
500万円 ～ 750万円
■SiCパワーデバイス開発・設計、プロセス開発業務に従事していただきます。
【具体的には】
・SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化、低消費電力化、高効率化が可能なパワー素子が実現できます。
・既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を担当いただきます。 必須 【必須要件】下記いずれかの経験をお持ちの方。
・半導体業界でSｉCの研究開発経験。
・パワーデバイス設計、パッケージ開発経験。
・半導...
400万円 ～ 800万円
...わっていただきます。
製品仕様と生産ライン・装置は切り離せない要素ですので、特に立ち上げ期においては製品設計からも主体的にライン設計に関わっていただきます。
【配属部署のミッション】
お客様に手に取ってもらいやすい、使ってもらいやすいパワーモジュール製品を実現する
【募集要項】
開発フェーズの進行と、案件の増加に合わせた工数増強のため
【仕事の振り分け方】
パッケージ開発では、パッケージ単位でチームを作り、パッケージの設計～ライン開発、量産移管までを一気通貫で担当して...
■パワー半導体デバイス生産技術エンジニア
パワーデバイスの特性を最大限に引き出すパッケージ開発業務全般をご担当いただきます。（パワー半導体パッケージ開発、ダイボンディング工程、配線接合工程（ワイヤ、クリップ等）、モールド工程、めっき工程、... ...製造プロセス側としても
新しい試みが積極的に行えるポジションとなります。
海外工場の生産量UPに向けた取り組みを現地スタッフと連携して進めていただきます。
【仕事の振り分け方】
パッケージ開発では、パッケージ単位でチームを作り、パッケージ...
500万円 ～ 850万円
...です。製品 軸のマーケティングを行い、事業部と情報を共有したり、製品の市場適正価格を決定するなど、事業部/事業本部の売上向上への貢献を目指します。
具体的には下記業務をお任せいたします。
１、マーケティング業務
SiC/IGBTなどのパワー・ディスクリート事業本部管轄の製品が対象。
営業、FAE、事業部(開発)部門との連携により、製品軸のマーケティングを行う。
２、プライシング業務
上記マーケティングの結果を活用して、製品のプライシングを行う。
３、顧客との契約管理
...
500万円 ～ 850万円
・SｉCパワーデバイス開発・設計
・SｉCパワーデバイスプロセス開発/プロセスインテグレーション
■SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。【職種の変更の範囲】当社業務全般
※下記、いずれかのご経験がある方。
・半導体業界でSｉCの研究開発経験
・トランジスタ/ダイオード/LSI等のデバイス...
500万円 ～ 900万円
...ージ開発、GaNモジュール設計開発
GaN
HEMTの特長を活かした商品を実現するため、
パッケージ技術者の視点で高放熱のディスクリートパッケージや
新規モジュール製品の開発、開発環境の構築、量産化対応などを行って頂きます。
＜GaNパワーデバイスとは＞
GaN（ 窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。
物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。
例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなど...
500万円 ～ 850万円
下記何れかの業務を担当頂きます。
・SｉCパワーデバイス開発・設計
・SｉCパワーデバイスプロセス開発
SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。【職種の変更の範囲】当社業務全般
【下記何れかの経験】
・半導体業界でSｉCの研究開発経験。
・パワーデバイス設計、パッケージ開発経験。
・半導体プ...
500万円 ～ 850万円
■SiCパワーモジュールの設計、評価、試験。
■拡販用、顧客対応用のデータ採取、実験等。
キャリアステップのイメージとしては、まずは開発中の製品評価を中心にSiCパワーモジュールの知見を習得していただき、ゆくゆく顧客の窓口や顧客ニーズを商品に取り込む開発者にと考えております。
【募集背景】SiC事業の急成長に伴う増員補強。xEVにSiCパワーモジュールを適用させていくために開発要件が増えている為
【就業環境】
■リモートワーク：可(平均週2回程度)
・・ ・・・・ポジシ...
500万円 ～ 850万円
パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。
※担当製品は面接を通して決定いたします。【職種の変更の範囲】当社業務全般
【必須】
・MOSFETの構造・動作特性の理解
・半導体プロセスの理解
・基礎的な電気回路の理解
500万円 ～ 900万円
...。
※海外への出張も定期的に行い、現地営業と協力してユーザーへの製品紹介や技術サポートを行って頂きます。
※ユーザーサポートや顧客紹介の中で得られた情報をフィードバックして、新商品企画に活かすことも業務の一つになります。
【GaNパワーデバイスとは】
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。
物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっています。
例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータや...
500万円 ～ 900万円
■パワーデバイスの『第3の矢』、GaNパワーデバイスの製造技術に関する業務をご担当いただきます。
・世界でロームでしか作れない高ゲート耐圧構造のGaNデバイス事業を更に発展させるために、製造プロセスの安定化や品質改善、生産性向上、歩留り改善などに取り組んでいます。
【具体的には…】
半導体プロセスおよびデバイスエンジニアの視点から、製造ラインの改善に加わって頂きます。
GaNエピタキシャル成長、ドライエッチングやスパッタリング、洗浄、CVD、フォトリソグラフィといった半導体...
500万円 ～ 900万円
GaNパワーデバイス開発エンジニア（電源設計）の募集要項です。
・GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価
・GaNデバイスの海外拡販
＜GaNパワーデバイスとは＞
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。既に量産化が始まって...
［募集職種］
【京都】生産技術(パワートレイン)
［仕事内容］
【職務概要】エンジン組立の生産技術業務をお任せします。 【職務詳細】■生産設備仕様検討～導入■生産工法計画～実行、品質玉成■海外工場への技術支援【部署のミッション】(1)安全で高効率、高品質、環境負荷の少ない生産設備の計画(2)開発、生産部門との密なコミュニケーションよる商品価値の向上(3)新技術への取組による生産技術力向上【募集背景】新車種開発、カーボンニュートラル対応に伴い設備・工法計画を行う人員が不足し...
400万円 ～ 800万円
【業務について】
SiパワーMOSのデバイス開発・設計、プ ロセス開発業務に従事していただきます。
部門間の関係性として、事業部門が製品売上に対する責任と権限をもっており、事業部門からの依頼という形でデバイス開発部門の我々が要求特性を満足するデバイス・プロセスを開発するという形をとります。
実際の業務内容としては、TCADを使ったデバイスシミュレーション、CADを使ったTEGマスク作製業務、滋賀工場でウェハプロセスフローを構築して試作ロットの流動、試作したウェハの電気特性評価...
500万円 ～ 850万円
【東証プライム上場】高い製品力と技術力を持つ、日本を代表する半導体メーカー
【職務概要】
SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。
【職務詳細】
■SｉCパワーデバイス開発・設計
■SｉCパワーデバイスプロセス開発
SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、
従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が
可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製...
500万円 ～ 850万円
...商品開発企画にも
反映させます。
【募集背景】
中期経営計画に沿った事業拡大に際して、海外車載向け売上拡大が課題です。このため、商品開発担当かつ他部門や顧客との折衝も可能な人員強化を目的とした背景です。
【配属部署のミッション】
パワー半導体（Si_パワーMOSFET等）の事業本部に属しており、
車載向け顧客を守備範囲とした部署になります。
【入社後のキャリアステップ】
本人の興味や職務適性を考慮の上、
技術業務特化の部署に1年～2年を目安としたジョブローテーション...
［募集職種］
【京都】SiCパワーデバイス開発エンジニア
［仕事内容］
【職務概要】SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。【職務詳細】■SｉCパワーデバイス開発・設計■SｉCパワーデバイスプロセス開発SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。【世界をリードするSiCパワ...
月給：25万円 ～ 30万円
＜主な業務＞
＊応募者へのTEL・WEBでの⾯談、希望のヒアリング、お仕事の紹介。
＊登録スタッフへの定期的な状況確認と求職者へのお仕事紹介。
営業やクライアントに対し、スタッフ⽬線で様々な提案や調整を⾏なうこともあれば、スタッフに対し、当初の希望条件とは異なるお仕事を紹介し説得することもあります。
就業にあたってのスタッフの不安を取り除き、就業開始までサポートしていただきます。
★ポイント★
全国の有名⼤学と取引を⾏ない、⼤学や図書館といったアカデミック分...
