検索結果: 133 件の求人
500万円 ~ 900万円
...通信用フィルタの技術開発を行っていただきます。
【具体的には】
・電磁界シミュレーションを用いた共振モード解析、周波数応答解析とその結果分析、新構造考案
・高周波回路シミュレーションとその結果分析、新規回路考案
・新規高周波デバイス案の創出と概念実証(PoC)
・社内関連課(国内・海外)への報告・協議・打ち合わせ
・学術論文の精査、学会参加による技術動向調査
・携わる商品:高周波受動部品やSAWフィルタなどの無線通信用フィルタ 必須 【必須要件】下記双...
500万円 ~ 750万円
■デバイスインテグレーション開発エンジニアとして、以下の業務を担当していただきます。
【具体的には】
・IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発エンジニア
・IGBT、Diodeの開発業務、Wafer Processインテグレーション技術構築業務 必須 【必須要件】下記いずれかに該当する方。
・半導体プロセスインテグレーションの経験をお持ちの方。
・MOSFET、IGBT、Diode等のパワーデバイス開発経験をお持ちの方。
500万円 ~ 800万円
■フィールドアプリケーションエンジニア
パワーデバイスの拡販と技術サポートをご担当いただきます。
パワーデバイスをベースとした回路シミュレーションを活用し技術的な提案や顧客の技術トラブル解決を行うことで、顧客設計・評価をスムーズに進め、デザインインとデザインウィンの達成を目指していただきます。
部門ではアプリケーションを軸としたソリューション拡販と技術サポートおよび新商品企画活動を通じ、海外での売り上げ増加を目指しております。
入社後はパワーデバイス(SiC
MOSFET、...
500万円 ~ 750万円
■SiCパワーデバイス開発・設計、プロセス開発業務に従事していただきます。
【具体的には】
・SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化、低消費電力化、高効率化が可能なパワー素子が実現できます。
・既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を担当いただきます。 必須 【必須要件】下記いずれかの経験をお持ちの方。
・半導体業界でSiCの研究開発経験。
・パワーデバイス設計、パッケージ開発経験。
・半導体...
500万円 ~ 850万円
...特徴】
開発~製造までを一貫してグループ内で行う垂直型統合生産体制をとることで、高品質で革新的な製品を生み出しています。
顧客仕様に合わせたカスタム製品とスピードが強みです。
「技術力」産学連携にも積極的な同社は世界に先駆けて開発した不揮発ロジックや最高性能の次世代パワーデバイス、最先端の技術を有しています。 必須 【必須要件】
・組立工程、工程改善、歩留まり改善の経験をお持ちの方
【歓迎要件】
・基本的なパワー半導体デバイスの知識をお持ちの方
500万円 ~ 850万円
...2021年度全社平均:23.1時間/月)
【職種の変更の範囲】当社業務全般
・・・・・・ポジションの魅力・・・・・・
・世界のものづくりの動向を追いかけて、顧客、競合、市場を分析し、予測してROHMのキーアイテムの一つであるパワーデバイスが将来どこまで売上を伸ばすことが出来るかを決める為の重要な業務の一つです。売上・利益の向上に影響を及ぼすことが出来るやりがいのある業務です。
・自ら積極的に提案することで、チャレンジできる環境です。様々なバックグランド をもったメンバー...
850万円
【業務内容】
■品質管理
LSI、パワー半導体、Tr、Diの市場故障品の解析。
[具体的な業務内容]
・半導体デバイスの外観検査
・X線検査
・入出力端子特性
・エミッション/オバーク解析
・THMOS解析
・樹脂開封(薬液開封等)
・顧客報告書の作成
【配属部署のミッション】
求人部門では、市場品質情報の収集・分析を行い全社の品質戦略の立案を行っております。 さらに、設計、ウエハプロセス、アセンブリプロセスの各段階に対する改善の指針を提供し、広範な品質向上プロジェクトを実...
500万円 ~ 850万円
下記何れかの業務を担当頂きます。
・SiCパワーデバイス開発・設計
・SiCパワーデバイスプロセス開発
SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。【職種の変更の範囲】当社業務全般
【下記何れかの経験】
・半導体業界でSiCの研究開発経験。
・パワーデバイス設計、パッケージ開発経験。
・半導体プロ...
500万円 ~ 900万円
■GaNデバイス向け新規パッケージ開発、GaNモジュール設計開発
GaN
HEMTの特長を活かした商品を実現するため、
パッケージ技術者の視点で高放熱のディスクリートパッケージや
新規モジュール製品の開発、開発環境の構築、量産化対応などを行 って頂きます。
<GaNパワーデバイスとは>
GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。
物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。
例えば、GaNパワーデバイスを、DC/D...
400万円 ~ 800万円
IGBTデバイス・プロセスエンジニアの募集要項です。
【業務について】
IGBTデバイス開発・設計、プロセス開発業務・テストライン構築に従事していただきます。
部門間の関係性として、事業部門が製品売上に対する責任と権限をもっており、事業部門からの依頼という形でデバイス開発部門が要求特性を満足するデバイス・プロセスを開発するという形をとります。
実際の業務内容としては、TCADを使ったデバイスシミュレーション、CADを使ったTEGマスク作製業務、滋賀工場でウェハプロセスフロー...
■パワー半導体デバイス生産技術エンジニア
パワーデバイスの特性を最大限に引き出すパッケージ開発業務全般をご担当いただきます。(パワー半導体パッケージ開発、ダイボンディング工程、配線接合工程(ワイヤ、クリップ等)、モールド工程、めっき工程、テスト工程など各工程の技術開発、改善業務)
パワーデバイス領域は当社が掲げる成長エンジンの1つとして、会社を挙げて
注力している事業です。
新製品の開発に加えて、製造技術の開発にも力を入れており、製造プロセス側としても
新しい試みが積極的に...
500万円 ~ 850万円
・SiCパワーデバイス開発・設計
・SiCパワーデバイスプロセス開発/プロセスインテグレーション
■SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。【職種の変更の範囲】当社業務全般
※下記、いずれかのご経験がある方。
・半導体業界でSiCの研究開発経験
・トランジスタ/ダイオード/LSI等のデバイス開...
500万円 ~ 900万円
■同社システム電源商品設計課にて以下業務に従事頂きます。
<具体的には>
・アプリケーション開発業務
GaNデバイスおよびLSI(ドライバ、コントローラ)を使用して、ユーザーが評価できる評価ボードの開発を行って頂きます。
PFC、LLCなど、AC/DC、DC/DCのアプリケーション(数百W~数kW)をターゲットとしたアプリケーション開発が主な業務になります。
PCBレイアウト設計、SPICEシミュレーション、ドキュメント作成、熱設計、ノイズ設計、顧客サポート...
500万円 ~ 900万円
GaNパワーデバイス開発エンジニア(電源設計)の募集要項です。
・GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価
・GaNデバイスの海外拡販
<GaNパワーデバイスとは>
GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まってい る。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。既に量産化が始まってい...
400万円 ~ 800万円
...非常に広いです。製品毎に担当頂き、設計から出荷に至るところまで一連の業務をご担当頂きます。社内を含めお客様との打ち合わせも多いポジションです。【職種の変更の範囲】当社業務全般
【必須】
・ダイオード、トランジスタ、またはフォトダイオードのいずれかの素子設計・評価経験(3年以上)
・TCAD(プロセスシミュレーション、デバイスシミュレーション)の業務経験(3年以上)
【歓迎】
・車載電子部品の開発経験
・最新の通信技術の理解
・ASATやファウンダリを使用した開発・契約の経験
500万円 ~ 900万円
■パワーデバイスの『第3の矢』、GaNパワーデバイスの製造技術に関する業務をご担当いただきます。
・世界でロームでしか作れない高ゲート耐圧構造のGaNデバイス事業を更に発展させるために、製造プロセスの安定化や品質改善、生産性向上、歩留り改善などに取り組んでいます。
【具体的には…】
半導体プロセスおよびデバイスエンジニアの視点から、製造ラインの改善に加わって頂きます。
GaNエピタキシャル成長、ドライエッチングやスパッタリング、洗浄、CVD、フォトリソグラフィといった半導体プ...
500万円 ~ 850万円
■SiCパワーモジュールの設計、評価、試験。
■拡販用、顧客対応用のデータ採取、実験等。
キャリアステップのイメージとしては、まずは開発中の製品評価を中心にSiCパワーモジュールの知見を習得していただき、ゆくゆく顧客の窓口や顧客ニーズを商品に取り込む開発者にと考えております。
【募集背景】SiC事業の急成長に伴う増員補強。xEVにSiCパワーモジュールを適用させていくために開発要件が増えている為
【就業環境】
■リモートワーク:可(平均週2回程度)
・・・・・・ポジショ...
500万円 ~ 850万円
パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。
※担当製品は面接を通して決定いたします。【職種の変更の範囲】当社業務全般
【必須】
・MOSFETの構造・動作特性の理解
・半導体プロセスの理解
・基礎的な電気回路の理解
500万円 ~ 850万円
【東証プライム上場】高い製品力と技術力を持つ、日本を代表する半導体メーカー
【職務概要】
デバイスインテグレーション開発エンジニアとして
下記開発業務を担当いただきます。
【職務詳細】
■Siデバイス開発業務
■IGBT、Diodeの開発業務
■Wafer Processインテグレーション技術構築業務
パワーデバイス領域は同社が掲げる4つの成長エンジンの1つとして、
会社を挙げて注力している事業です。
故に様々な最先端技術を駆使しながら...
500万円 ~ 900万円
...
5G、Beyond5G/6Gへと大きな変化が起こっている中で、今後どういった製品や技術が必要になるのか市場を正確に予測して、RFフロントエンドの開発ロードマップに展開することができるやりがいのある仕事です。通信システム全体の観点からデバイスやモジュールの開発に関わるため、幅広い経験をすることができます。国内外・社内外問わず様々な人々と仕事をすることができ、やりがいを感じることができる仕事です。Beyond5Gや6Gといった未来の技術に携わることができます。 必須 【必須...